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IPB027N10N3 G /MOSFET N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB027N10N3 G的规格信息
IPB027N10N3 G的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:120 A

Rds On-漏源导通电阻:2.3 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:206 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:300 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:OptiMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:4.4 mm

长度:10 mm

系列:OptiMOS 3

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:9.25 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:94 S

下降时间:28 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:58 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:84 ns

典型接通延迟时间:34 ns

零件号别名:IPB027N10N3GATMA1 IPB27N1N3GXT SP000506508

单位重量:4 g

供应商IPB027N10N3 G
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深圳市威雅利发展有限公司IPB027N10N3 G华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
18124047120		韩雪Email:3004202884@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司IPB027N10N3 G深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
13267088774 (微信同号)		Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市鑫智腾创科技有限公司IPB027N10N3 G深圳市福田区红荔路上航大厦西座410-813066809747
13066809747		李小姐Email:xiegp12@163.com询价
深圳市佳威星科技有限公司IPB027N10N3 G深圳市福田区华强北路现代之窗B座28C0755-83045910
13724343501		胡小姐Email:jiaweixingic@126.com询价
深圳市安富世纪电子有限公司IPB027N10N3 G深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
18124040553		杨丹妮Email:2881358670@qq.com询价
深圳市坤融电子有限公司IPB027N10N3 G航都大厦10I0755-23990975
13926529829，17318082080		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
集好芯城IPB027N10N3 G深圳市福田区航都大厦25F0755-82564006
18188616613		郑小姐Email:sam@678ic.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司IPB027N10N3 G深圳市福田区航都大厦25F0755-82790891
18126117392		陈晓玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
集好芯城IPB027N10N3 G深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553		陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司IPB027N10N3 G龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
18822854608		李先生Email:2119980731@qq.com询价
芯莱德电子（香港）有限公司IPB027N10N3 G深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市鑫晟源电子科技有限公司IPB027N10N3 G深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
18938047708/18938048779		林炜东，林俊源Email:3004003952@qq.com询价
深圳市仓实科技有限公司IPB027N10N3 G深圳市福田区福田街道17080955875李先生Email:service@cangshixc.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司IPB027N10N3 G深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352		罗先生Email:250652363@qq.com询价
深圳市亿鸿丰电子科技有限公司IPB027N10N3 G深圳市福田区华富路1046-1号华康大厦2栋2楼2100755-83230201
19147724283，19147721680		王小姐，刘先生Email:345720093@qq.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司IPB027N10N3 G深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113		赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳市清腾科技有限公司IPB027N10N3 G深圳市福田区华强北街道华航社区振兴路156号上步工业区405栋3190755-83993052
18390902447		刘先生Email:893018447@qq.com询价
深圳瀚顺芯电子科技有限公司IPB027N10N3 G深圳市福田区福田街道皇岗社区吉龙一村26栋801室18927111567黄Email:1585681270@qq.com询价
深圳市辰芯伟业科技有限公司IPB027N10N3 G华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
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柒号芯城电子商务（深圳）有限公司IPB027N10N3 G深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼0755-83663056
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IPB027N10N3 G及相关型号的PDF资料
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IPB027N10N3 GMOSFET N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO529.17 Kbytes共9页IPB027N10N3 G的PDF下载地址无
IPB027N10N3 G连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3.5V @ 275uA 漏源导通电阻：2.7mΩ @ 100A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W(Tc) 类型：N沟道Infineon(英飞凌)Infineon(英飞凌)的LOGO531.9 Kbytes共9页IPB027N10N3 G的PDF下载地址无
IPB027N10N3 G的全球分销商及价格
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元器件资料网-Avnet的LOGO
Avnet		IPB027N10N3 GInfineon Technologies AG1000+:￥18.7101
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Mouser 贸泽电子		IPB027N10N3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 31:¥40.7252
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立创商城		IPB027N10N3 GInfineon(英飞凌)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3.5V @ 275uA 漏源导通电阻：2.7mΩ @ 100A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W(Tc) 类型：N沟道1+:￥30.61
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