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IPB027N10N3 G /MOSFET N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB027N10N3 G的规格信息
IPB027N10N3 G的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:120 A

Rds On-漏源导通电阻:2.3 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:206 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:300 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:OptiMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:4.4 mm

长度:10 mm

系列:OptiMOS 3

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:9.25 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:94 S

下降时间:28 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:58 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:84 ns

典型接通延迟时间:34 ns

零件号别名:IPB027N10N3GATMA1 IPB27N1N3GXT SP000506508

单位重量:4 g

供应商IPB027N10N3 G
IPB027N10N3 G的供应商,可免费索样
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深圳市威雅利发展有限公司IPB027N10N3 G华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
18124047120		韩雪Email:3004202884@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司IPB027N10N3 G深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
现代芯城（深圳）科技有限公司IPB027N10N3 Gwww.nowchip.com0755-27381274
18098996457		董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市鑫智腾创科技有限公司IPB027N10N3 G深圳市福田区红荔路上航大厦西座410-813066809747
13066809747		李小姐Email:xiegp12@163.com询价
芯莱德电子（香港）有限公司IPB027N10N3 G深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市坤融电子有限公司IPB027N10N3 G航都大厦10I0755-23990975
13926529829，17318082080		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
柒号芯城电子商务（深圳）有限公司IPB027N10N3 G深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼0755-83663056
18922805453，18929374037，18922803401		连Email:seven@7-ic.com询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司IPB027N10N3 G深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
13725570869		朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
深圳市拓亿芯电子有限公司IPB027N10N3 G深圳市福田区振兴西路华康大厦2栋6030755-82777855,0755-82702619
13510175077		刘先生,李小姐Email:tyxliujian@163.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司IPB027N10N3 G深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222		余先生，张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳市安富世纪电子有限公司IPB027N10N3 G深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
18124040553		杨丹妮Email:2881358670@qq.com询价
深圳瀚顺芯电子科技有限公司IPB027N10N3 G深圳市福田区福田街道皇岗社区吉龙一村26栋801室18927111567黄Email:1585681270@qq.com询价
深圳市域立航科技有限公司IPB027N10N3 G深圳市福田区华强北路1002号赛格广场41楼4108A （本公司可开13%增值税票）0755-82576356，83233239
18802682975，13828773170		唐小姐，朱先生Email:1279179098@qq.com询价
深圳市博浩通科技有限公司IPB027N10N3 G华强北宝华大厦A座8080755-82811430，0755-82818091
15989349634，13798567707		朱丽娜skype:bhtkj@hotmail.comEmail:bob@bhtkj.com询价
深圳市河锋鑫科技有限公司IPB027N10N3 G华强北现代之窗A 9D0755-23903154
13430590551		杨晓芳Email:305739080@qq.com询价
深圳市佳威星科技有限公司IPB027N10N3 G深圳市福田区华强北路现代之窗B座28C0755-83045910
13724343501		胡小姐Email:jiaweixingic@126.com询价
集好芯城IPB027N10N3 G深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-82564006
18188616613		郑小姐Email:sam@678ic.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司IPB027N10N3 G深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392		陈晓玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
集好芯城IPB027N10N3 G深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553		陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司IPB027N10N3 G深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352		罗先生Email:250652363@qq.com询价
IPB027N10N3 G及相关型号的PDF资料
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IPB027N10N3 GMOSFET N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO529.17 Kbytes共9页IPB027N10N3 G的PDF下载地址无
IPB027N10N3 G连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3.5V @ 275uA 漏源导通电阻：2.7mΩ @ 100A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W(Tc) 类型：N沟道Infineon(英飞凌)Infineon(英飞凌)的LOGO531.9 Kbytes共9页IPB027N10N3 G的PDF下载地址无
IPB027N10N3 G的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)		IPB027N10N3 GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V1000+:￥18.7101
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元器件资料网-Avnet的LOGO
Avnet		IPB027N10N3 GInfineon Technologies AG1000+:￥18.7101
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
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元器件资料网-element14 e络盟电子的LOGO
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		IPB027N10N3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 31:¥40.7252
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1,000:¥21.5152
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立创商城		IPB027N10N3 GInfineon(英飞凌)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3.5V @ 275uA 漏源导通电阻：2.7mΩ @ 100A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W(Tc) 类型：N沟道1+:￥30.61
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IPB027N10N3 G的相关型号
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